maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPB049NE7N3GATMA1
Référence fabricant | IPB049NE7N3GATMA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IPB049NE7N3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
IPB049NE7N3GATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 75V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 80A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 91µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4750pF @ 37.5V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 150W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D²PAK (TO-263AB) |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB049NE7N3GATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPB049NE7N3GATMA1-FT |
IRLS4030TRL7PP
Infineon Technologies
IXTA110N055T7
IXYS
IXTA152N085T7
IXYS
IXTA160N075T7
IXYS
IXTA160N10T7
IXYS
IXTA180N085T7
IXYS
IXTA180N10T7
IXYS
IXTA182N055T7
IXYS
IXTA200N075T7
IXYS
IXTA200N085T7
IXYS
LCMXO256C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
XC2V1500-6BGG575C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VTX150T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45I2SG
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel