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IXYS IXTA182N055T7

Numéro de pièce MFG
IXTA182N055T7
quantité disponible
99710 Pièces
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fabricant
IXYS
Brève description
TrenchMV™ MOSFET N-CH 55V 182A TO-263-7
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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IXTA182N055T7 Caractéristiques

Référence fabricant IXTA182N055T7
Numéro de pièce future FT-IXTA182N055T7
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries TrenchMV™
IXTA182N055T7 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 182A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 114nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4850pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 360W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TO-263-7 (IXTA..7)
Paquet / caisse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTA182N055T7 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IXTA182N055T7-FT

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