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Référence fabricant | IPB054N08N3GATMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPB054N08N3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
IPB054N08N3GATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 80V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 80A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4750pF @ 40V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 150W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D²PAK (TO-263AB) |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB054N08N3GATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPB054N08N3GATMA1-FT |
IXTA152N085T7
IXYS
IXTA160N075T7
IXYS
IXTA160N10T7
IXYS
IXTA180N085T7
IXYS
IXTA180N10T7
IXYS
IXTA182N055T7
IXYS
IXTA200N075T7
IXYS
IXTA200N085T7
IXYS
IXTA220N055T7
IXYS
IXTA220N075T7
IXYS
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel