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Infineon Technologies IPB081N06L3GATMA1
- Numéro de pièce MFG
- IPB081N06L3GATMA1
- quantité disponible
- 53050 Pièces
- Prix de référence
- USD 0.594664
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Infineon Technologies
- Brève description
- OptiMOS™ MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Simple
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- IPB081N06L3GATMA1.pdf
IPB081N06L3GATMA1 Caractéristiques
| Référence fabricant | IPB081N06L3GATMA1 |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-IPB081N06L3GATMA1 |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | OptiMOS™ |
| IPB081N06L3GATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 50A (Tc) |
| Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.1 mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 34µA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4900pF @ 30V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 79W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package d'appareils du fournisseur | D²PAK (TO-263AB) |
| Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IPB081N06L3GATMA1 Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | IPB081N06L3GATMA1-FT |
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