maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPB120N04S401ATMA1
Référence fabricant | IPB120N04S401ATMA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IPB120N04S401ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
IPB120N04S401ATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 120A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 140µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 176nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 14000pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 188W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D²PAK (TO-263AB) |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB120N04S401ATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPB120N04S401ATMA1-FT |
IXTA200N075T7
IXYS
IXTA200N085T7
IXYS
IXTA220N055T7
IXYS
IXTA220N075T7
IXYS
IXTA240N055T7
IXYS
IXTA300N04T2-7
IXYS
IXTA80N10T7
IXYS
IXTA88N085T7
IXYS
IXTA98N075T7
IXYS
NP160N04TUG-E1-AY
Renesas Electronics America
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel