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IXYS IXTA80N10T7

Numéro de pièce MFG
IXTA80N10T7
quantité disponible
54340 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
IXYS
Brève description
TrenchMV™ MOSFET N-CH 100V 80A TO-263-7
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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IXTA80N10T7 Caractéristiques

Référence fabricant IXTA80N10T7
Numéro de pièce future FT-IXTA80N10T7
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries TrenchMV™
IXTA80N10T7 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3040pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 230W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TO-263-7 (IXTA..7)
Paquet / caisse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTA80N10T7 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IXTA80N10T7-FT

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