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IXYS IXTA80N10T7

Name: IXTA80N10T7
Brand: IXYS
SKU: IXTA80N10T7
Availability: InStock
Rating: 4.5 (18 reviews)

Numéro de pièce MFG: IXTA80N10T7

quantité disponible: 54340 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: IXYS

Brève description: TrenchMV™ MOSFET N-CH 100V 80A TO-263-7

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IXTA80N10T7.pdf

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IXTA80N10T7 Caractéristiques

Référence fabricant	IXTA80N10T7
Numéro de pièce future	FT-IXTA80N10T7
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	TrenchMV™
IXTA80N10T7 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3040pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	230W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	TO-263-7 (IXTA..7)
Paquet / caisse	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTA80N10T7 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IXTA80N10T7-FT

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