maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / 55GN01FA-TL-H
Référence fabricant | 55GN01FA-TL-H |
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Numéro de pièce future | FT-55GN01FA-TL-H |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
55GN01FA-TL-H Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 10V |
Fréquence - Transition | 4.5GHz ~ 5.5GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1.9dB @ 1GHz |
Gain | 11dB ~ 19dB @ 1GHz ~ 400MHz |
Puissance - Max | 250mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 70mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-81 |
Package d'appareils du fournisseur | 3-SSFP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
55GN01FA-TL-H Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 55GN01FA-TL-H-FT |
2SC5095-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5095-R(TE85L,F)
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MT3S111P(TE12L,F)
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10AX022E3F27E2SG
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XC7VX415T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M132C
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5AGXBB1D4F31C5N
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