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Toshiba Semiconductor and Storage HN3C10FUTE85LF

Name: HN3C10FUTE85LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: HN3C10FUTE85LF
Availability: InStock
Rating: 4.6 (128 reviews)

Numéro de pièce MFG: HN3C10FUTE85LF

quantité disponible: 18040 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: - RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - Bipolaires (BJT) - RF

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: HN3C10FUTE85LF.pdf

HN3C10FUTE85LF Caractéristiques

Référence fabricant	HN3C10FUTE85LF
Numéro de pièce future	FT-HN3C10FUTE85LF
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
HN3C10FUTE85LF Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de transistor	2 NPN (Dual)
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.)	12V
Fréquence - Transition	7GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f)	1.1dB @ 1GHz
Gain	11.5dB
Puissance - Max	200mW
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 20mA, 10V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	80mA
Température de fonctionnement	-
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareils du fournisseur	US6
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HN3C10FUTE85LF Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	HN3C10FUTE85LF-FT

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