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Toshiba Semiconductor and Storage HN3C10FUTE85LF

Numéro de pièce MFG
HN3C10FUTE85LF
quantité disponible
18040 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
- RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
HN3C10FUTE85LF.pdf
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HN3C10FUTE85LF Caractéristiques

Référence fabricant HN3C10FUTE85LF
Numéro de pièce future FT-HN3C10FUTE85LF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
HN3C10FUTE85LF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de transistor 2 NPN (Dual)
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 12V
Fréquence - Transition 7GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1GHz
Gain 11.5dB
Puissance - Max 200mW
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 20mA, 10V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 80mA
Température de fonctionnement -
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareils du fournisseur US6
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HN3C10FUTE85LF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange HN3C10FUTE85LF-FT

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