maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / MT3S20P(TE12L,F)
Référence fabricant | MT3S20P(TE12L,F) |
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Numéro de pièce future | FT-MT3S20P(TE12L,F) |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT3S20P(TE12L,F) Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 12V |
Fréquence - Transition | 7GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1.45dB @ 1GHz |
Gain | 16.5dB |
Puissance - Max | 1.8W |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 5V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 80mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-243AA |
Package d'appareils du fournisseur | PW-MINI |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT3S20P(TE12L,F) Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT3S20P(TE12L,F)-FT |
2SC4228-A
CEL
2SC4228-T1-A
CEL
BF799WE6327BTSA1
Infineon Technologies
BF799WH6327XTSA1
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BFR 181W E6327
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BFR 182W E6327
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BFR 183W E6327
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BFR 193W E6327
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BFR 92W E6327
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BFR 93AW E6327
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XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQG208I
Microsemi Corporation
5CGXBC4C6F27C7N
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