maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / MT3S113P(TE12L,F)
Référence fabricant | MT3S113P(TE12L,F) |
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Numéro de pièce future | FT-MT3S113P(TE12L,F) |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT3S113P(TE12L,F) Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 5.3V |
Fréquence - Transition | 7.7GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1.45dB @ 1GHz |
Gain | 10.5dB |
Puissance - Max | 1.6W |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-243AA |
Package d'appareils du fournisseur | PW-MINI |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT3S113P(TE12L,F) Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT3S113P(TE12L,F)-FT |
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