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Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111P(TE12L,F)

Name: MT3S111P(TE12L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: MT3S111P(TE12L,F)
Price: 0.306 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (661 reviews)

Numéro de pièce MFG: MT3S111P(TE12L,F)

quantité disponible: 27110 Pièces

Prix de référence: USD 0.306

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: - RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - Bipolaires (BJT) - RF

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: MT3S111P(TE12L,F).pdf

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MT3S111P(TE12L,F) Caractéristiques

Référence fabricant	MT3S111P(TE12L,F)
Numéro de pièce future	FT-MT3S111P(TE12L,F)
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
MT3S111P(TE12L,F) Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de transistor	NPN
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.)	6V
Fréquence - Transition	8GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f)	1.25dB @ 1GHz
Gain	10.5dB
Puissance - Max	1W
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 30mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	100mA
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	TO-243AA
Package d'appareils du fournisseur	PW-MINI
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT3S111P(TE12L,F) Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	MT3S111P(TE12L,F)-FT

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