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MT3S111P(TE12L,F) Image

Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111P(TE12L,F)

Numéro de pièce MFG
MT3S111P(TE12L,F)
quantité disponible
27110 Pièces
Prix de référence
USD 0.306
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Date d'expédition
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fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
- RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
MT3S111P(TE12L,F).pdf
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MT3S111P(TE12L,F) Caractéristiques

Référence fabricant MT3S111P(TE12L,F)
Numéro de pièce future FT-MT3S111P(TE12L,F)
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
MT3S111P(TE12L,F) Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de transistor NPN
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 6V
Fréquence - Transition 8GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f) 1.25dB @ 1GHz
Gain 10.5dB
Puissance - Max 1W
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 30mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse TO-243AA
Package d'appareils du fournisseur PW-MINI
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT3S111P(TE12L,F) Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange MT3S111P(TE12L,F)-FT

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