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Rohm Semiconductor 2SK2887TL

Numéro de pièce MFG
2SK2887TL
quantité disponible
88000 Pièces
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USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
- MOSFET N-CH 200V 3A DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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2SK2887TL Caractéristiques

Référence fabricant 2SK2887TL
Numéro de pièce future FT-2SK2887TL
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
2SK2887TL Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 20W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur CPT3
Paquet / caisse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2SK2887TL Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange 2SK2887TL-FT

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