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RW1A030APT2CR Image

Rohm Semiconductor RW1A030APT2CR

Numéro de pièce MFG
RW1A030APT2CR
quantité disponible
98000 Pièces
Prix de référence
USD 0.08928
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
- MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
RW1A030APT2CR.pdf
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RW1A030APT2CR Caractéristiques

Référence fabricant RW1A030APT2CR
Numéro de pièce future FT-RW1A030APT2CR
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
RW1A030APT2CR Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Not For New Designs
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V
Vgs (Max) -8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2700pF @ 6V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 700mW (Ta)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 6-WEMT
Paquet / caisse SOT-563, SOT-666
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RW1A030APT2CR Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange RW1A030APT2CR-FT

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