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Rohm Semiconductor RW1A030APT2CR
- Numéro de pièce MFG
- RW1A030APT2CR
- quantité disponible
- 98000 Pièces
- Prix de référence
- USD 0.08928
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Rohm Semiconductor
- Brève description
- - MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Simple
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- RW1A030APT2CR.pdf
RW1A030APT2CR Caractéristiques
| Référence fabricant | RW1A030APT2CR |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-RW1A030APT2CR |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| RW1A030APT2CR Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Not For New Designs |
| Type de FET | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 12V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3A (Ta) |
| Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | -8V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 6V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 700mW (Ta) |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package d'appareils du fournisseur | 6-WEMT |
| Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| RW1A030APT2CR Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | RW1A030APT2CR-FT |
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