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Rohm Semiconductor RD3S100CNTL1

Name: RD3S100CNTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RD3S100CNTL1
Price: 0.7056 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (469 reviews)

Numéro de pièce MFG: RD3S100CNTL1

quantité disponible: 23880 Pièces

Prix de référence: USD 0.7056

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Rohm Semiconductor

Brève description: - NCH 190V 10A POWER MOSFET

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: RD3S100CNTL1.pdf

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RD3S100CNTL1 Caractéristiques

Référence fabricant	RD3S100CNTL1
Numéro de pièce future	FT-RD3S100CNTL1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
RD3S100CNTL1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	190V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	10A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	182 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	52nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	85W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	TO-252
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RD3S100CNTL1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	RD3S100CNTL1-FT

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