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Rohm Semiconductor RW1E025RPT2CR

Name: RW1E025RPT2CR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RW1E025RPT2CR
Price: 0.06192 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (378 reviews)

Numéro de pièce MFG: RW1E025RPT2CR

quantité disponible: 73010 Pièces

Prix de référence: USD 0.06192

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Rohm Semiconductor

Brève description: - MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: RW1E025RPT2CR.pdf

RW1E025RPT2CR Caractéristiques

Référence fabricant	RW1E025RPT2CR
Numéro de pièce future	FT-RW1E025RPT2CR
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
RW1E025RPT2CR Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Not For New Designs
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	2.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	75 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	5.2nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	480pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	700mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	6-WEMT
Paquet / caisse	SOT-563, SOT-666
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RW1E025RPT2CR Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	RW1E025RPT2CR-FT

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