maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / ES6U2T2R
Référence fabricant | ES6U2T2R |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-ES6U2T2R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES6U2T2R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1.5A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 10V |
Caractéristique FET | Schottky Diode (Isolated) |
Dissipation de puissance (max) | 700mW (Ta) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 6-WEMT |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES6U2T2R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES6U2T2R-FT |
RD3P200SNFRATL
Rohm Semiconductor
RD3S075CNTL1
Rohm Semiconductor
RD3S100CNTL1
Rohm Semiconductor
RD3T050CNTL1
Rohm Semiconductor
RD3T075CNTL1
Rohm Semiconductor
RD3T100CNTL1
Rohm Semiconductor
RD3U040CNTL1
Rohm Semiconductor
RD3U060CNTL1
Rohm Semiconductor
RD3U080CNTL1
Rohm Semiconductor
SCT3022KLGC11
Rohm Semiconductor
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5CEBA5U19C8N
Intel
EP1C20F324I7N
Intel