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Rohm Semiconductor RUE002N02TL
- Numéro de pièce MFG
- RUE002N02TL
- quantité disponible
- 13570 Pièces
- Prix de référence
- USD 0.056
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Rohm Semiconductor
- Brève description
- - MOSFET N-CH 20V .2A EMT3
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Simple
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- RUE002N02TL.pdf
RUE002N02TL Caractéristiques
| Référence fabricant | RUE002N02TL |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-RUE002N02TL |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| RUE002N02TL Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Not For New Designs |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 200mA (Ta) |
| Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 2.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 200mA, 2.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 10V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 150mW (Ta) |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package d'appareils du fournisseur | EMT3 |
| Paquet / caisse | SC-75, SOT-416 |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| RUE002N02TL Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | RUE002N02TL-FT |
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