maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / 1285AS-H-1R0M=P2
Référence fabricant | 1285AS-H-1R0M=P2 |
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Numéro de pièce future | FT-1285AS-H-1R0M=P2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | DFE201610C |
1285AS-H-1R0M=P2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Iron Powder |
Inductance | 1µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 2.2A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 96 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0806 (2016 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1285AS-H-1R0M=P2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1285AS-H-1R0M=P2-FT |
DFE201610P-R47M=P2
Murata Electronics North America
DFE201610R-H-R47M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010P-R47M=P2
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1269AS-H-1R5M=P2
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DFE201612P-1R0M=P2
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DFE252010P-1R5M=P2
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DFE252010P-4R7M=P2
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DFE201610R-H-1R0M=P2
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1269AS-H-1R0M=P2
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DFE201610P-R68M=P2
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XC4005XL-2TQ144C
Xilinx Inc.
XC2S100-6FGG256C
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208
Microsemi Corporation
EP4CE10E22I8LN
Intel
5SGXEABK2H40I2LN
Intel
5SGXMABK2H40I3LN
Intel
A42MX09-PL84I
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K3F35E2SG
Intel
EP3C80F780C7N
Intel