maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / DFE252010P-1R5M=P2
Référence fabricant | DFE252010P-1R5M=P2 |
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Numéro de pièce future | FT-DFE252010P-1R5M=P2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | DFE252010P |
DFE252010P-1R5M=P2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Iron Powder |
Inductance | 1.5µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 3A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 82 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1008 (2520 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1008 (2520 Metric) |
Taille / Dimension | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE252010P-1R5M=P2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DFE252010P-1R5M=P2-FT |
LQG15WZ2N4C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ2N4S02D
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LQG15WZ2N7C02D
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LQG15WZ3N0C02D
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XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
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5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel