maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / 1269AS-H-1R5M=P2
Référence fabricant | 1269AS-H-1R5M=P2 |
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Numéro de pièce future | FT-1269AS-H-1R5M=P2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | DFE252010C |
1269AS-H-1R5M=P2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Iron Powder |
Inductance | 1.5µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 2.1A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 108 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1008 (2520 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1008 (2520 Metric) |
Taille / Dimension | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1269AS-H-1R5M=P2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1269AS-H-1R5M=P2-FT |
LQG15WZ2N2C02D
Murata Electronics North America
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XC3S700A-4FG400C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2PQ208I
Microsemi Corporation
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Intel
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Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
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