maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / DFE201610P-R47M=P2
Référence fabricant | DFE201610P-R47M=P2 |
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Numéro de pièce future | FT-DFE201610P-R47M=P2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | DFE201610P |
DFE201610P-R47M=P2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Iron Powder |
Inductance | 470nH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 4A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 40 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0806 (2016 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0806 (2016 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE201610P-R47M=P2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DFE201610P-R47M=P2-FT |
LQG15WZ1N8S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ2N0C02D
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A1415A-PQ100C
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CSG325I
Xilinx Inc.
LAXP2-8E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DAF484C7G
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Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
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Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFG900I
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
EP4CE40F29I7N
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