maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / DFE201610P-R68M=P2
Référence fabricant | DFE201610P-R68M=P2 |
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Numéro de pièce future | FT-DFE201610P-R68M=P2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | DFE201610P |
DFE201610P-R68M=P2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Iron Powder |
Inductance | 680nH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 2.7A |
Courant - Saturation | 3.6A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 48 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0806 (2016 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE201610P-R68M=P2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DFE201610P-R68M=P2-FT |
LQG15WZ3N3C02D
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LQG15WZ3N3S02D
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LQG15WZ3N6C02D
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LQG15WZ4N7C02D
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LQG15WZ4N7S02D
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XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
A10V20B-PLG68C
Microsemi Corporation
EP20K200CF484C7
Intel
EP4SE820H40I4
Intel
EP3SE80F1152I4L
Intel
XC4013XL-3BG256I
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6016QC208-3
Intel