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Référence fabricant | W29N04GVSIAF |
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Numéro de pièce future | FT-W29N04GVSIAF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
W29N04GVSIAF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND (SLC) |
Taille mémoire | 4Gb (512M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 25ns |
Temps d'accès | 25ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 48-TSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W29N04GVSIAF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | W29N04GVSIAF-FT |
BQ4011MA-200
Texas Instruments
BQ4011YMA-100
Texas Instruments
BQ4011YMA-150
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BQ4011YMA-200
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BQ4011YMA-70N
Texas Instruments
SFEM016GB1EA1TO-I-GE-111-STD
Swissbit
SFEM008GB1EA1TO-I-GE-111-STD
Swissbit
SFEM032GB1EA1TO-I-LF-111-STD
Swissbit
XC4006E-2TQ144I
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208M
Microsemi Corporation
M2GL050-1VFG400
Microsemi Corporation
10CX220YF780I5G
Intel
5CGXFC4F6M11I7N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-2
Intel