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Référence fabricant | BQ4011YMA-150N |
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Numéro de pièce future | FT-BQ4011YMA-150N |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BQ4011YMA-150N Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | NVSRAM |
La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Taille mémoire | 256Kb (32K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 150ns |
Temps d'accès | 150ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 28-DIP Module (18.42x37.72) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4011YMA-150N Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BQ4011YMA-150N-FT |
W631GU6MB-12 TR
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W632GG6MB-09
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XC4020XL-1HT144C
Xilinx Inc.
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A3PN060-VQ100
Microsemi Corporation
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10CL016YE144C8G
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Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45I3LG
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