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Référence fabricant | BQ4011MA-200 |
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Numéro de pièce future | FT-BQ4011MA-200 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BQ4011MA-200 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | NVSRAM |
La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Taille mémoire | 256Kb (32K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 200ns |
Temps d'accès | 200ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.75V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 28-DIP Module (18.42x37.72) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4011MA-200 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BQ4011MA-200-FT |
W631GU6MB-12
Winbond Electronics
W631GG6MB-12 TR
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XC2S150-5FGG456I
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XC7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8F256C7
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5SGXEB6R2F40C2L
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XC4VLX40-10FFG668C
Xilinx Inc.
EP1S30F1020C7N
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