maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / BQ4011YMA-70N
Référence fabricant | BQ4011YMA-70N |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BQ4011YMA-70N |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BQ4011YMA-70N Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | NVSRAM |
La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Taille mémoire | 256Kb (32K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 28-DIP Module (18.42x37.72) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4011YMA-70N Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BQ4011YMA-70N-FT |
W632GG6MB-11 TR
Winbond Electronics
W632GG6MB-12 TR
Winbond Electronics
W632GG6MB-15
Winbond Electronics
W632GG6MB-15 TR
Winbond Electronics
W632GG6MB11I
Winbond Electronics
W632GG6MB12I
Winbond Electronics
W632GG6MB12I TR
Winbond Electronics
W632GG6MB15I
Winbond Electronics
W632GG6MB15I TR
Winbond Electronics
W632GU6MB-11
Winbond Electronics
XC7A50T-2FG484I
Xilinx Inc.
XC4028XL-2BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQG176M
Microsemi Corporation
M1A3P400-FGG144
Microsemi Corporation
LFEC6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C7
Intel
EP4CE55F29I8L
Intel
EP20K600CB652C8
Intel