maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / VUO60-16NO3
Référence fabricant | VUO60-16NO3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-VUO60-16NO3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VUO60-16NO3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Three Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1.6kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 72A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.9V @ 150A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 300µA @ 1600V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | FO-F-B |
Package d'appareils du fournisseur | FO-F-B |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO60-16NO3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VUO60-16NO3-FT |
VBO130-08NO7
IXYS
VBO130-12NO7
IXYS
VBO130-16NO7
IXYS
VBO130-18NO7
IXYS
VBO160-08NO7
IXYS
VBO160-12NO7
IXYS
VBO160-16NO7
IXYS
VBO160-18NO7
IXYS
VBO20-08NO2
IXYS
VBO20-12NO2
IXYS
A40MX02-VQ80I
Microsemi Corporation
XC2VP70-6FFG1517C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1FG484I
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-1FGG484I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGTMC5K2F40C2N
Intel
M2GL090TS-1FGG676
Microsemi Corporation
LFXP20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EBC356-2
Intel