maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / VBO20-12NO2
Référence fabricant | VBO20-12NO2 |
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Numéro de pièce future | FT-VBO20-12NO2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VBO20-12NO2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1.2kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 31A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.8V @ 55A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 300µA @ 1200V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | QC Terminal |
Paquet / caisse | 4-Square, FO-A |
Package d'appareils du fournisseur | FO-A |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBO20-12NO2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VBO20-12NO2-FT |
CD-MBL108S
Bourns Inc.
CD-MBL108SL
Bourns Inc.
CD-MBL110S
Bourns Inc.
CD-MBL110SL
Bourns Inc.
CD-MBL208S
Bourns Inc.
CD-MBL208SL
Bourns Inc.
CD-MBL210SL
Bourns Inc.
CDNBS04-B08200
Bourns Inc.
AT6005A-2AI
Microchip Technology
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
EP1SGX25CF672I6N
Intel
10CL016ZF484I8G
Intel
5SGSMD4E3H29I4N
Intel
5AGXBA7D4F27I5N
Intel
A54SX08A-2FGG144I
Microsemi Corporation
ICE40LM4K-CM36TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29I8L
Intel