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Référence fabricant | CD-MBL108SL |
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Numéro de pièce future | FT-CD-MBL108SL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CD-MBL108SL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 1A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 800V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Chip, Concave Terminals |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CD-MBL108SL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CD-MBL108SL-FT |
GBU2508-G
Comchip Technology
GBU4005-G
Comchip Technology
GBU401-G
Comchip Technology
GBU402-G
Comchip Technology
GBU404-G
Comchip Technology
GBU406-G
Comchip Technology
GBU408-G
Comchip Technology
GBU410-G
Comchip Technology
GBU6005-G
Comchip Technology
GBU601-G
Comchip Technology
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC6SLX75-L1FGG676I
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FGG484C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-5SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-1PLG68
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA3K2F40I3N
Intel
XC6VLX75T-1FF784I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGZ350FF35I3N
Intel