maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / VBO130-12NO7
Référence fabricant | VBO130-12NO7 |
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Numéro de pièce future | FT-VBO130-12NO7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VBO130-12NO7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1.2kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 122A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 120A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 1200V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | PWS-E |
Package d'appareils du fournisseur | PWS-E |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBO130-12NO7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VBO130-12NO7-FT |
CD-HD01
Bourns Inc.
CD-HD2004
Bourns Inc.
CD-HD2006
Bourns Inc.
CD-HD2006L
Bourns Inc.
CD-HD201L
Bourns Inc.
CD-MBL102S
Bourns Inc.
CD-MBL104S
Bourns Inc.
CD-MBL106SL
Bourns Inc.
CD-MBL108S
Bourns Inc.
CD-MBL108SL
Bourns Inc.
XA2S50E-6TQ144I
Xilinx Inc.
XA6SLX16-3FTG256Q
Xilinx Inc.
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP1AGX50CF484C6
Intel
10CL006ZU256I8G
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5SGSMD6K3F40C2LN
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XC5VLX50T-1FF665I
Xilinx Inc.
10AX066H3F34I3SGES
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EP2OK60EQI208-2X
Intel