maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / VBO130-18NO7
Référence fabricant | VBO130-18NO7 |
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Numéro de pièce future | FT-VBO130-18NO7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VBO130-18NO7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1.8kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 122A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.65V @ 300A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 300µA @ 1800V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | PWS-E |
Package d'appareils du fournisseur | PWS-E |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBO130-18NO7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VBO130-18NO7-FT |
CD-HD2006
Bourns Inc.
CD-HD2006L
Bourns Inc.
CD-HD201L
Bourns Inc.
CD-MBL102S
Bourns Inc.
CD-MBL104S
Bourns Inc.
CD-MBL106SL
Bourns Inc.
CD-MBL108S
Bourns Inc.
CD-MBL108SL
Bourns Inc.
CD-MBL110S
Bourns Inc.
CD-MBL110SL
Bourns Inc.
XC6SLX9-N3FT256I
Xilinx Inc.
XCV400-6FG676C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25U256I7N
Intel
5SGXMBBR2H43C2N
Intel
LFE3-70E-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel