maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / VUO30-18NO3
Référence fabricant | VUO30-18NO3 |
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Numéro de pièce future | FT-VUO30-18NO3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VUO30-18NO3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Three Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1.8kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 37A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.55V @ 150A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 300µA @ 1800V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | FO-F-B |
Package d'appareils du fournisseur | FO-F-B |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO30-18NO3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VUO30-18NO3-FT |
VBE100-06NO7
IXYS
VBE100-12NO7
IXYS
VBE17-06NO7
IXYS
VBE20-20NO1
IXYS
VBE26-06NO7
IXYS
VBE26-12NO7
IXYS
VBE55-12NO7
IXYS
VBO105-08NO7
IXYS
VBO105-12NO7
IXYS
VBO105-16NO7
IXYS
XCS20XL-5VQ100C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208
Microsemi Corporation
EP20K160EFI484-2X
Intel
EP3SL200H780C4L
Intel
EP3C5E144C7
Intel
A40MX02-3PLG44
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F40I3LG
Intel
10AX032E1F27I1HG
Intel