maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / VBE20-20NO1
Référence fabricant | VBE20-20NO1 |
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Numéro de pièce future | FT-VBE20-20NO1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VBE20-20NO1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 2kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 5.41V @ 12A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 750µA @ 2000V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | V1A-PAK |
Package d'appareils du fournisseur | V1A-PAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBE20-20NO1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VBE20-20NO1-FT |
CD-DF410S
Bourns Inc.
CD-MBL206SL
Bourns Inc.
CD-MBL210S
Bourns Inc.
CD-HD201
Bourns Inc.
CD-DF406S
Bourns Inc.
CD-DF406SL
Bourns Inc.
CD-DF408S
Bourns Inc.
CD-DF408SL
Bourns Inc.
CD-DF410SL
Bourns Inc.
CD-HD004
Bourns Inc.
APA150-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484C8
Intel
EP1K100FI256-2N
Intel
5SGXMA7N2F45C3
Intel
5SGXMA7K3F35C4
Intel
A3P125-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45E1SG
Intel
EP4SGX180FF35I4N
Intel