maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / VBE100-06NO7
Référence fabricant | VBE100-06NO7 |
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Numéro de pièce future | FT-VBE100-06NO7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VBE100-06NO7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 100A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.04V @ 60A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 4800V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | ECO-PAC2 |
Package d'appareils du fournisseur | ECO-PAC2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBE100-06NO7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VBE100-06NO7-FT |
CDNBS04-B08600
Bourns Inc.
CDNBS04-B08800
Bourns Inc.
CD-MBL106S
Bourns Inc.
CD-DF410S
Bourns Inc.
CD-MBL206SL
Bourns Inc.
CD-MBL210S
Bourns Inc.
CD-HD201
Bourns Inc.
CD-DF406S
Bourns Inc.
CD-DF406SL
Bourns Inc.
CD-DF408S
Bourns Inc.
M1A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F35C3
Intel
XC7VX690T-2FF1158I
Xilinx Inc.
XC4VFX40-10FFG1152C
Xilinx Inc.
A3P060-FGG144I
Microsemi Corporation
LFX200EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6F23C7N
Intel