maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / VBO105-08NO7
Référence fabricant | VBO105-08NO7 |
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Numéro de pièce future | FT-VBO105-08NO7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VBO105-08NO7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 107A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.09V @ 40A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 800V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | PWS-C |
Package d'appareils du fournisseur | PWS-C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBO105-08NO7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VBO105-08NO7-FT |
CD-DF406S
Bourns Inc.
CD-DF406SL
Bourns Inc.
CD-DF408S
Bourns Inc.
CD-DF408SL
Bourns Inc.
CD-DF410SL
Bourns Inc.
CD-HD004
Bourns Inc.
CD-HD006
Bourns Inc.
CD-HD01
Bourns Inc.
CD-HD2004
Bourns Inc.
CD-HD2006
Bourns Inc.
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2C35U484C7
Intel
EP4CE15F23C9L
Intel
EP3C16E144I7
Intel
A1010B-PLG44I
Microsemi Corporation
XC5VLX85T-3FF1136C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-2100E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1020C5N
Intel