maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VS-VSKJ270-12PBF
Référence fabricant | VS-VSKJ270-12PBF |
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Numéro de pièce future | FT-VS-VSKJ270-12PBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-VSKJ270-12PBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 135A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50mA @ 1200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | 3-MAGN-A-PAK™ |
Package d'appareils du fournisseur | MAGN-A-PAK® |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-VSKJ270-12PBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-VSKJ270-12PBF-FT |
MBR10100CS2-G1
Diodes Incorporated
MBR10100CS2TR-G1
Diodes Incorporated
MBR10100CTF-G1
Diodes Incorporated
MBR10150CTF-E1
Diodes Incorporated
MBR10150CTF-G1
Diodes Incorporated
MBR10200CS2-E1
Diodes Incorporated
MBR10200CS2-G1
Diodes Incorporated
MBR10200CS2TR-E1
Diodes Incorporated
MBR10200CTF-E1
Diodes Incorporated
MBR10200CTF-G1
Diodes Incorporated
XCS05XL-4VQ100I
Xilinx Inc.
XC7A50T-L1FGG484I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
EPF6016ATI100-3
Intel
5SGXEABN2F45I3LN
Intel
XC5VSX50T-1FFG1136I
Xilinx Inc.
XC4VFX40-10FFG1152I
Xilinx Inc.
XC5VLX110-1FF676I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CPG196C
Xilinx Inc.