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Référence fabricant | MBR10200CTF-E1 |
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Numéro de pièce future | FT-MBR10200CTF-E1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBR10200CTF-E1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 150µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220F-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR10200CTF-E1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR10200CTF-E1-FT |
SDHD5KM
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SDHN15K
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Lattice Semiconductor Corporation
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Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQC
Microchip Technology
EP2C50F484C8
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5SGXMA5N2F40I3LN
Intel
XC7A200T-L2FBG484E
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100M
Microsemi Corporation
AGL250V5-CSG196I
Microsemi Corporation
EPF10K50EQC240-1N
Intel