maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / SDHN5KS
Référence fabricant | SDHN5KS |
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Numéro de pièce future | FT-SDHN5KS |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SDHN5KS Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | - |
Type de diode | - |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 5000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 2.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 6V @ 3A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 2µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 5000V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDHN5KS Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SDHN5KS-FT |
MBR10200CD-G1
Diodes Incorporated
MBR10200CDTR-G1
Diodes Incorporated
MBR1060CT-E1
Diodes Incorporated
MBR1060CT-G1
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MBR20150CT-G1
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MBR20200CT-E1
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MBR20200CT-G1
Diodes Incorporated
MBR30100CT-G1
Diodes Incorporated
MBR30100CTF-E1
Diodes Incorporated
MBR3045CT-E1
Diodes Incorporated
AT6002A-4AI
Microchip Technology
M2GL025T-1VFG400I
Microsemi Corporation
10CX085YU484I5G
Intel
10M08DCF256I7G
Intel
5SGSMD8K2F40I2LN
Intel
XC4VSX35-10FFG668C
Xilinx Inc.
XC7A50T-L2CPG236E
Xilinx Inc.
AGLP125V5-CSG289I
Microsemi Corporation
EP20K160EQC240-3
Intel
EPF10K10QI208-4N
Intel