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Référence fabricant | MBR20200CT-G1 |
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Numéro de pièce future | FT-MBR20200CT-G1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBR20200CT-G1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 900mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR20200CT-G1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR20200CT-G1-FT |
VS-VSKD71/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD91/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD91/06
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD91/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD91/10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD91/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD91/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD91/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKDS200/045
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKDS201/045
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-3VQ80
Microsemi Corporation
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XC7S50-1FGGA484C
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-3FFG484C
Xilinx Inc.
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5SGXMB5R2F43C3N
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Xilinx Inc.
5CEBA7F23C8N
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