maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBR30100CTF-E1
Référence fabricant | MBR30100CTF-E1 |
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Numéro de pièce future | FT-MBR30100CTF-E1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBR30100CTF-E1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 850mV @ 15A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220F-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR30100CTF-E1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR30100CTF-E1-FT |
VS-VSKD91/06
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD91/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD91/10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD91/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD91/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD91/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKDS200/045
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKDS201/045
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKDS203/100
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKDS208/060
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX45-2CSG484I
Xilinx Inc.
LFE2-12E-5QN208C
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A3P030-2VQG100
Microsemi Corporation
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Intel
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
5SGXMA7K2F35I3LN
Intel
A1010B-2PL44C
Microsemi Corporation
LFEC15E-4FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35C3N
Intel