maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VS-VSKDS203/100
Référence fabricant | VS-VSKDS203/100 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-VSKDS203/100 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-VSKDS203/100 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 100A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 990mV @ 100A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 3mA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | ADD-A-PAK (3) |
Package d'appareils du fournisseur | ADD-A-PAK® |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-VSKDS203/100 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-VSKDS203/100-FT |
JAN1N4148UBD
Microsemi Corporation
JANTX1N4148UBCA
Microsemi Corporation
JANTX1N4148UBCC
Microsemi Corporation
VS-200CNQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-201CNQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-201CNQ050PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-209CNQ135PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-209CNQ150PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-220CNQ030PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-300CNQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP2C5T144C7
Intel
LCMXO640E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400A-5FGG484C
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05LV-3DQC
Microchip Technology
EP3SL70F484C3N
Intel
EP20K200CF484C7N
Intel
5SGXMABN3F45C2N
Intel
AGL125V2-CS196I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG100M
Microsemi Corporation