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Référence fabricant | MBR10200CS2-E1 |
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Numéro de pièce future | FT-MBR10200CS2-E1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBR10200CS2-E1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 150µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR10200CS2-E1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR10200CS2-E1-FT |
SDHD10KM
Semtech Corporation
SDHD15K
Semtech Corporation
SDHD5K
Semtech Corporation
SDHD5KM
Semtech Corporation
SDHN15K
Semtech Corporation
SDHN5KM
Semtech Corporation
SDHN5KS
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SDHN7.5K
Semtech Corporation
SDHP10KS
Semtech Corporation
SDHP15KM
Semtech Corporation
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256I
Microsemi Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C6
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5SGXEA7N3F40C4N
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XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8
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EP2AGZ300FF35C4N
Intel