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Référence fabricant | MBR10200CS2TR-E1 |
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Numéro de pièce future | FT-MBR10200CS2TR-E1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBR10200CS2TR-E1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 150µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR10200CS2TR-E1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR10200CS2TR-E1-FT |
SDHD5K
Semtech Corporation
SDHD5KM
Semtech Corporation
SDHN15K
Semtech Corporation
SDHN5KM
Semtech Corporation
SDHN5KS
Semtech Corporation
SDHN7.5K
Semtech Corporation
SDHP10KS
Semtech Corporation
SDHP15KM
Semtech Corporation
SDHP5KM
Semtech Corporation
SDHP5KS
Semtech Corporation
LCMXO2-1200ZE-2TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S500E-4FTG256I
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XC4044XL-3HQ304I
Xilinx Inc.
A42MX16-VQ100M
Microsemi Corporation
EP3C10F256C6
Intel
5SGXMA7H3F35C2LN
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XC7VX415T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFD3H3F35I3N
Intel