maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VS-43CTQ100-N3
Référence fabricant | VS-43CTQ100-N3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-43CTQ100-N3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-43CTQ100-N3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 980mV @ 40A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-43CTQ100-N3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-43CTQ100-N3-FT |
UGF8JCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF8JCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10150CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20100CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20100RHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20150CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20M120CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30100CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30120CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V80-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484C8N
Intel
5SGSMD4K3F40I3L
Intel
EP2AGX65DF25C4G
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
EP2AGX95EF35C6N
Intel