maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / V20120CHM3/4W
Référence fabricant | V20120CHM3/4W |
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Numéro de pièce future | FT-V20120CHM3/4W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TMBS® |
V20120CHM3/4W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 120V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 900mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 8µA @ 90V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V20120CHM3/4W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | V20120CHM3/4W-FT |
MBR3045CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H100CT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H100CT-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H100CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H150CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H35CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H45CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H45CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H50CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H50CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
AT40K05-2BQI
Microchip Technology
LFEC6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEB9R2H43I2L
Intel
XC7A200T-1FBG484C
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XC7VX330T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
LFXP10E-4F256C
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LFX125EB-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel