maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBR30H35CT-E3/45
Référence fabricant | MBR30H35CT-E3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-MBR30H35CT-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBR30H35CT-E3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 35V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 620mV @ 15A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 80µA @ 35V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR30H35CT-E3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR30H35CT-E3/45-FT |
FEPF16HT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPF16HTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPF16JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPF16JTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPF6AT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPF6ATHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPF6BT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPF6BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPF6CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPF6CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-FVQG80
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016C3U19E2LG
Intel
EP3SL340F1760C4N
Intel
XC2VP20-5FF1152C
Xilinx Inc.
XC2V2000-4FFG896I
Xilinx Inc.
A42MX24-PLG84
Microsemi Corporation
LCMXO2-640HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I5N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel