maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / V30120CHM3/4W
Référence fabricant | V30120CHM3/4W |
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Numéro de pièce future | FT-V30120CHM3/4W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, TMBS® |
V30120CHM3/4W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 120V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 970mV @ 15A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 800µA @ 120V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V30120CHM3/4W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | V30120CHM3/4W-FT |
MBR30H150CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H35CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H45CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H45CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H50CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H50CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H60CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H90CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR40H35CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR40H45CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel