maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / UGF8JCTHE3/45
Référence fabricant | UGF8JCTHE3/45 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-UGF8JCTHE3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UGF8JCTHE3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 4A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.75V @ 4A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 30µA @ 600V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Package d'appareils du fournisseur | ITO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UGF8JCTHE3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UGF8JCTHE3/45-FT |
MBR25H60CT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR25H60CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR3035CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR3045CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR3045CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H100CT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H100CT-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H100CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H150CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H35CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200C-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75T-2FG484I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG256
Microsemi Corporation
A54SX72A-1CQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484C4
Intel
10M40DCF256C7G
Intel
5SGXEB5R2F43I2L
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
EP4SGX230DF29C3NES
Intel