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Référence fabricant | VBT5200-E3/8W |
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Numéro de pièce future | FT-VBT5200-E3/8W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VBT5200-E3/8W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.6V @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 150µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBT5200-E3/8W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VBT5200-E3/8W-FT |
NSB8DTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8GTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8GTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8JTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8JTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8KTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8KTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8MTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8MTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB10L25HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division