maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / NSB8JTHE3_A/P
Référence fabricant | NSB8JTHE3_A/P |
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Numéro de pièce future | FT-NSB8JTHE3_A/P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
NSB8JTHE3_A/P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 8A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSB8JTHE3_A/P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NSB8JTHE3_A/P-FT |
1N4148-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4150TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4154TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4150TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4154TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE2-6E-5T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-L1FGG484I
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LFE5U-85F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10M50DAF484I7G
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EP4SGX290KF43C4
Intel
5SGXMA4H1F35C2LN
Intel
5SGXMA4H3F35C3N
Intel
XC3190A-3PC84C
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XC6SLX45T-N3CSG324I
Xilinx Inc.
AGLP060V5-CSG289
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